Applied Physics Letters (Lehti)
Aktiviteetti: Tieteellisen lehden refereenä toimiminen
Yksityiskohdat
Country of activity
Publication forum classification
Lehteen liittyvää
GaSb diode lasers tunable around 2.6 μ m using silicon photonics resonators or external diffractive gratings
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
High-power single mode GaSb-based 2 μm superluminescent diode with double-pass gain
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
InAs/InP quantum dot VECSEL emitting at 1.5 μ m
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
High power GaInNAs superluminescent diodes emitting over 400 mW in the 1.2 μm wavelength range
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Edge states in the honeycomb reconstruction of two-dimensional silicon nanosheets
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Tutkijaan liittyvää
Back Reflector with Diffractive Gratings for Light-Trapping in Thin-Film III-V Solar Cells
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Narrow Bandgap Dilute Nitride Materials for 6- junction Space Solar Cells
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Advances in III-V MBE technology: bridging material science to application
Aktiviteetti: Kutsuttu esitelmä
High Efficiency Lattice-Matched 4J Space Solar Cells on GaAs
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
High Efficiency Lattice Matched Four-Junction Solar Cells on GaAs
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Performance Study of Lattice-Matched Multijunction Solar Cells Incorporating GaInNAsSb Junctions with 0.7 – 1.4 eV Bandgap
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Performance Study of Lattice-Matched Multijunction Solar Cells Incorporating GaInNAsSb Junctions with 0.7 – 1.4 eV Bandgap
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Progress in III-V/Si photonic integration technology
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
750 nm direct emitting VECSELs towards isotope separation applications for nuclear medicine
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
High N-concentration GaInNAsSb materials for III–V solar cells with bandgaps below 0.8 eV
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
ID: 890706