Journal of Crystal Growth (Lehti)
Aktiviteetti: Tieteellisen lehden refereenä toimiminen
Yksityiskohdat
Country of activity
Publication forum classification
Lehteen liittyvää
Epitaxial phases of high Bi content GaSbBi alloys
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Analysis of GaAsBi growth regimes in high resolution with respect to As/Ga ratio using stationary MBE growth
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Determination of composition and energy gaps of GaInNAsSb layers grown by MBE
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Unintentional boron contamination of MBE-grown GaInP/AlGaInP quantum wells
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Temperature dependence of photoluminescence for site-controlled InAs/GaAs quantum dot chains
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Tutkijaan liittyvää
Back Reflector with Diffractive Gratings for Light-Trapping in Thin-Film III-V Solar Cells
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Narrow Bandgap Dilute Nitride Materials for 6- junction Space Solar Cells
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Advances in III-V MBE technology: bridging material science to application
Aktiviteetti: Kutsuttu esitelmä
High Efficiency Lattice-Matched 4J Space Solar Cells on GaAs
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
High Efficiency Lattice Matched Four-Junction Solar Cells on GaAs
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Performance Study of Lattice-Matched Multijunction Solar Cells Incorporating GaInNAsSb Junctions with 0.7 – 1.4 eV Bandgap
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Performance Study of Lattice-Matched Multijunction Solar Cells Incorporating GaInNAsSb Junctions with 0.7 – 1.4 eV Bandgap
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Progress in III-V/Si photonic integration technology
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
750 nm direct emitting VECSELs towards isotope separation applications for nuclear medicine
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
High N-concentration GaInNAsSb materials for III–V solar cells with bandgaps below 0.8 eV
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
ID: 852042