TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Fysiikan laitos

Tutkimusyksikkö: Laitos

  1. 1988
  2. Reduction of Surface Defects in GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  3. 1989
  4. Pulsed Growth and Electronic Structure of Layered CuFe Films on Cu(100)

    Matti Lindroos (Speaker)
    1989

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  5. Rate equation study of nucleation and growth of thin films

    Jouko Nieminen (Speaker)
    1989

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  6. 1990
  7. Compound Semiconductor Solar Cells for Space Applications, March 29-31, 1990

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  8. Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

    Teppo Eerikki Hakkarainen (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  9. Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  10. Growth of Li-doped ZnSe by molecular beam epitaxy using an alkali metal dispenser

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

ID: 22076