TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Fysiikan laitos

Tutkimusyksikkö: Laitos

  1. 1986
  2. Discharge instabilities in Seeded Combustion Plasmas (MHD Generators)

    Rolf Gustaf Runarsson Hernberg (Speaker)
    1986

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  3. National Progress report on MHD Research and Development in Finland

    Rolf Gustaf Runarsson Hernberg (Speaker)
    1986

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  4. 1987
  5. Atomic Layer Epitaxy of Diluted Magnetic Semiconductors

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  6. A Vleed Study of the Geometrical Structure of the Clean and Hydrogen Covered Ru (001) Surface

    Matti Lindroos (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  7. Characterization of ZnSe Films Grown by MBE

    Petri Kaukasoina (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  8. Characterization of ZnSe Films Grown by MBE

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  9. Chemisorption of Pt and Sn on W(110) and Pt/Sn Coadsorption: Two Dimensional Alloy Formation

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  10. GaAs Films on Si Substrates; Substrate Preparation and MBE-Growth Technique

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  11. GaAs-on-Si

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  12. Growth of GaAs and GaAlAs with a Home-Made Molecular Beam Epitaxy Apparatus

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  13. Measurement of the ZnSe:MnSe:ZnSe Heterojunction valence-band Discontinuities

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  14. Pulse Counting Ionization Chamber for Radon Measurement

    Jorma Keskinen (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  15. Radontutkimukset TTKK:ssa

    Jorma Keskinen (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  16. Use of Rutherford Backscattering and Channeling in the Study of CdTe Films on GaAs

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1987

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  17. 1988
  18. A Re-examination of Multilayer Relaxation of Ag(110) by LEED Sructural Analysis

    Matti Lindroos (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  19. A Study of Multilayer Relaxation on Clean Ag(110)-1x2 by Leed Structural Analysis

    Matti Lindroos (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  20. Electronic Structure of Cu75AU25 Random Substitutional Alloy

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  21. Electronic Structure of Cu75AU25 Random Substitutional Alloy

    Eero Tapani Arola (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  22. Emission Diagnostics of Induction Plasma

    Rolf Gustaf Runarsson Hernberg (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  23. Growth of Hg2-xCdxTe Films by Molecular Beam Epitaxy

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  24. New Approach to Growth of High-Quality GaAs Layers on Si Substrates

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  25. Reduction of Surface Defects in GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1988

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  26. 1989
  27. Pulsed Growth and Electronic Structure of Layered CuFe Films on Cu(100)

    Matti Lindroos (Speaker)
    1989

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  28. Rate equation study of nucleation and growth of thin films

    Jouko Nieminen (Speaker)
    1989

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  29. 1990
  30. Compound Semiconductor Solar Cells for Space Applications, March 29-31, 1990

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  31. Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

    Teppo Eerikki Hakkarainen (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  32. Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  33. Growth of Li-doped ZnSe by molecular beam epitaxy using an alkali metal dispenser

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  34. Growth, Processing and Characterization of semiconductor laser diodes emittingat 1.3 and 1.55 m

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  35. Local thermodynamic equilibrium in RF induction argon plasmas.(Invited lecture, not published).

    Rolf Gustaf Runarsson Hernberg (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  36. Optimal design of high efficiency GaAs solar cells

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1990

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  37. 1991
  38. Current state of quantum well lasers and avalanche photodetectors

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1991

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  39. Determination of Acceptor Binding Energies in ZnSe (posteri)

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1991

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  40. Electrical and Optical Properties of Li Doped MBE Grown p-type ZnSe Films (posteri)

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1991

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  41. Electrical Characterization of Li and N doped ZnSe (posteri)

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1991

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  42. Electrical characterization of Li doped ZnSe grown by MBE (posteri)

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1991

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  43. Trends and challenges in MBE

    Viljo Markus Pessa (Speaker)
    1991

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

  44. 1992

ID: 22076