Joonas Hilska
1 - 10 / 14Sivun koko: 10
- 2019
- Julkaistu
Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires
Piton, M. R., Hakkarainen, T., Hilska, J., Koivusalo, E., Lupo, D., Avanco Galeti, H. V., Gobato, Y. G. & Guina, M., 14 marraskuuta 2019, julkaisussa : Nanoscale Research Letters. 14, 1, 7 Sivumäärä, 344.Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- Julkaistu
Impact of Bi incorporation on the evolution of microstructure during growth of low-Temperature GaAs:Bi/Ga(As,Bi) layers
Luna, E., Wu, M., Aoki, T., McCartney, M. R., Puustinen, J., Hilska, J., Guina, M., Smith, D. J. & Trampert, A., 28 elokuuta 2019, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 126, 8, 085305.Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- Julkaistu
Epitaxial phases of high Bi content GaSbBi alloys
Hilska, J., Koivusalo, E., Puustinen, J., Suomalainen, S. & Guina, M., 15 kesäkuuta 2019, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 516, s. 67-71 5 SivumääräTutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- Julkaistu
Analysis of GaAsBi growth regimes in high resolution with respect to As/Ga ratio using stationary MBE growth
Puustinen, J., Hilska, J. & Guina, M., 1 huhtikuuta 2019, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 511, s. 33-41 9 SivumääräTutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- 2018
- Julkaistu
Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates
Gunes, M., Ukelge, M. O., Donmez, O., Erol, A., Gumus, C., Alghamdi, H., Galeti, H. V. A., Henini, M., Schmidbauer, M., Hilska, J., Puustinen, J. & Guina, M., 13 marraskuuta 2018, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 33, 12, 124015.Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- Julkaistu
Investigation of the growth regimes in GaSbBi alloys with high Bi content by combinatorial MBE
Hilska, J., Koivusalo, E., Puustinen, J., Suomalainen, S. & Guina, M., 5 syyskuuta 2018.Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti ›
Full text:
- Julkaistu
Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
Prando, G. A., Orsi Gordo, V., Puustinen, J., Hilska, J., Alghamdi, H. M., Som, G., Gunes, M., Akyol, M., Souto, S., Rodrigues, A. D., Galeti, H. V. A., Henini, M., Gobato, Y. G. & Guina, M., 17 heinäkuuta 2018, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 33, 8, 084002.Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- Julkaistu
Optical properties of n- and p-type modulation doped GaAsBi/AlGaAs quantum well structures
Cetinkaya, C., Cokduygulular, E., Nutku, F., Donmez, O., Puustinen, J., Hilska, J., Erol, A. & Guina, M., maaliskuuta 2018, julkaisussa : Journal of Alloys and Compounds. 739, s. 987-996 10 SivumääräTutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- 2017
- Julkaistu
The role of epitaxial strain on the spontaneous formation of Bi-rich nanostructures in Ga(As,Bi) epilayers and quantum wells
Luna, E., Puustinen, J., Wu, M., Hilska, J., Guina, M. & Trampert, A., 1 heinäkuuta 2017, julkaisussa : Nanoscience and Nanotechnology Letters. 9, 7, s. 1132-1138 7 SivumääräTutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Full text:
- Julkaistu
Effect of growth parameters on the properties of GaAsBi
Hilska, J., Puustinen, J. & Guina, M., 19 maaliskuuta 2017.Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti ›
Full text:
ID: 6655697