TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Joonas Hilska

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires

    Piton, M. R., Hakkarainen, T., Hilska, J., Koivusalo, E., Lupo, D., Avanco Galeti, H. V., Gobato, Y. G. & Guina, M., 14 marraskuuta 2019, julkaisussa : Nanoscale Research Letters. 14, 1, 7 Sivumäärä, 344.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    Impact of Bi incorporation on the evolution of microstructure during growth of low-Temperature GaAs:Bi/Ga(As,Bi) layers

    Luna, E., Wu, M., Aoki, T., McCartney, M. R., Puustinen, J., Hilska, J., Guina, M., Smith, D. J. & Trampert, A., 28 elokuuta 2019, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 126, 8, 085305.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    Epitaxial phases of high Bi content GaSbBi alloys

    Hilska, J., Koivusalo, E., Puustinen, J., Suomalainen, S. & Guina, M., 15 kesäkuuta 2019, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 516, s. 67-71 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Analysis of GaAsBi growth regimes in high resolution with respect to As/Ga ratio using stationary MBE growth

    Puustinen, J., Hilska, J. & Guina, M., 1 huhtikuuta 2019, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 511, s. 33-41 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  6. 2018
  7. Julkaistu

    Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates

    Gunes, M., Ukelge, M. O., Donmez, O., Erol, A., Gumus, C., Alghamdi, H., Galeti, H. V. A., Henini, M., Schmidbauer, M., Hilska, J., Puustinen, J. & Guina, M., 13 marraskuuta 2018, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 33, 12, 124015.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    Investigation of the growth regimes in GaSbBi alloys with high Bi content by combinatorial MBE

    Hilska, J., Koivusalo, E., Puustinen, J., Suomalainen, S. & Guina, M., 5 syyskuuta 2018.

    Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

  9. Julkaistu

    Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates

    Prando, G. A., Orsi Gordo, V., Puustinen, J., Hilska, J., Alghamdi, H. M., Som, G., Gunes, M., Akyol, M., Souto, S., Rodrigues, A. D., Galeti, H. V. A., Henini, M., Gobato, Y. G. & Guina, M., 17 heinäkuuta 2018, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 33, 8, 084002.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    Optical properties of n- and p-type modulation doped GaAsBi/AlGaAs quantum well structures

    Cetinkaya, C., Cokduygulular, E., Nutku, F., Donmez, O., Puustinen, J., Hilska, J., Erol, A. & Guina, M., maaliskuuta 2018, julkaisussa : Journal of Alloys and Compounds. 739, s. 987-996 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  11. 2017
  12. Julkaistu

    The role of epitaxial strain on the spontaneous formation of Bi-rich nanostructures in Ga(As,Bi) epilayers and quantum wells

    Luna, E., Puustinen, J., Wu, M., Hilska, J., Guina, M. & Trampert, A., 1 heinäkuuta 2017, julkaisussa : Nanoscience and Nanotechnology Letters. 9, 7, s. 1132-1138 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    Effect of growth parameters on the properties of GaAsBi

    Hilska, J., Puustinen, J. & Guina, M., 19 maaliskuuta 2017.

    Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

Edellinen 1 2 Seuraava

ID: 6655697