TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Mircea Guina

  1. 2019
  2. Julkaistu

    InAs/InP quantum dot VECSEL emitting at 1.5 μ m

    Nechay, K., Mereuta, A., Paranthoen, C., Brévalle, G., Levallois, C., Alouini, M., Chevalier, N., Perrin, M., Suruceanu, G., Caliman, A., Guina, M. & Kapon, E., 21 lokakuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 17, 171105.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    High Power 1.5um Pulsed Laser Diode with Asymmetric Waveguide and Active Layer Near p-cladding

    Hallman, L. W., Ryvkin, B. S., Avrutin, E. A., Aho, A. T., Viheriälä, J., Guina, M. & Kostamovaara, J. T., 15 lokakuuta 2019, julkaisussa : IEEE Photonics Technology Letters. 31, 20, s. 1635-1638

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    Influence of ex-situ annealing on the properties of MgF2 thin films deposited by electron beam evaporation

    Reuna, J., Polojärvi, V., Pääkkönen, P., Lahtonen, K., Raappana, M., Aho, T., Isoaho, R., Aho, A., Valden, M. & Guina, M., lokakuuta 2019, julkaisussa : Optical Materials. 96, 9 Sivumäärä, 109326.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Impact of Bi incorporation on the evolution of microstructure during growth of low-Temperature GaAs:Bi/Ga(As,Bi) layers

    Luna, E., Wu, M., Aoki, T., McCartney, M. R., Puustinen, J., Hilska, J., Guina, M., Smith, D. J. & Trampert, A., 28 elokuuta 2019, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 126, 8, 085305.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    High power GaInNAs superluminescent diodes emitting over 400 mW in the 1.2 μm wavelength range

    Aho, A., Viheriälä, J., Virtanen, H., Zia, N., Isoaho, R. & Guina, M., 22 elokuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 8, 4 Sivumäärä, 081104 .

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires

    Hakkarainen, T., Rizzo Piton, M., Fiordaliso, E. M., Leshchenko, E. D., Koelling, S., Bettini, J., Vinicius Avanço Galeti, H., Koivusalo, E., Gobato, Y. G., De Giovanni Rodrigues, A., Lupo, D., Koenraad, P. M., Leite, E. R., Dubrovskii, V. G. & Guina, M., 5 elokuuta 2019, julkaisussa : Physical Review Materials. 3, 8, 086001.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    AlGaAs/AlGaInP VECSELs with Direct Emission at 740-770 nm

    Nechay, K., Kahle, H., Penttinen, J-P., Rajala, P., Tukiainen, A., Ranta, S. & Guina, M., 1 elokuuta 2019, julkaisussa : IEEE Photonics Technology Letters. 31, 15, s. 1245-1248 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  9. Julkaistu

    Epitaxial phases of high Bi content GaSbBi alloys

    Hilska, J., Koivusalo, E., Puustinen, J., Suomalainen, S. & Guina, M., 15 kesäkuuta 2019, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 516, s. 67-71 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    Photovoltaic properties of low-bandgap (0.7–0.9 eV) lattice-matched GaInNAsSb solar junctions grown by molecular beam epitaxy on GaAs

    Isoaho, R., Aho, A., Tukiainen, A., Aho, T., Raappana, M., Salminen, T., Reuna, J. & Guina, M., 15 kesäkuuta 2019, julkaisussa : Solar Energy Materials and Solar Cells. 195, s. 198-203 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    Double-side pumped membrane external-cavity surface-emitting laser (MECSEL) with increased efficiency emitting > 3 W in the 780 nm region

    Kahle, H., Phung, H-M., Penttinen, J-P., Rajala, P., Tukiainen, A., Ranta, S. & Guina, M., 1 toukokuuta 2019, 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Proceedings. IEEE

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Edellinen 1 2 3 4 5 6 7 8 ...64 Seuraava

ID: 66383