0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 2171-2172 |
Julkaisu | Electronics Letters |
Vuosikerta | 28 |
Numero | 23 |
Tila | Julkaistu - 1992 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |