0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 2171-2172 |
| Julkaisu | Electronics Letters |
| Vuosikerta | 28 |
| Numero | 23 |
| Tila | Julkaistu - 1992 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |