TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Standard

0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers. / Zhang, G.; Näppi, J.; Ovtchinnikov, A.; Savolainen, P.; Asonen, H.

julkaisussa: Electronics Letters, Vuosikerta 28, Nro 23, 1992, s. 2171-2172.

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Harvard

Zhang, G, Näppi, J, Ovtchinnikov, A, Savolainen, P & Asonen, H 1992, '0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers', Electronics Letters, Vuosikerta. 28, Nro 23, Sivut 2171-2172.

APA

Zhang, G., Näppi, J., Ovtchinnikov, A., Savolainen, P., & Asonen, H. (1992). 0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers. Electronics Letters, 28(23), 2171-2172.

Vancouver

Zhang G, Näppi J, Ovtchinnikov A, Savolainen P, Asonen H. 0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers. Electronics Letters. 1992;28(23):2171-2172.

Author

Zhang, G. ; Näppi, J. ; Ovtchinnikov, A. ; Savolainen, P. ; Asonen, H. / 0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers. Julkaisussa: Electronics Letters. 1992 ; Vuosikerta 28, Nro 23. Sivut 2171-2172.

Bibtex - Lataa

@article{57240409ca254ab7ab085a4a90ea189d,
title = "0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers",
author = "G. Zhang and J. N{\"a}ppi and A. Ovtchinnikov and P. Savolainen and H. Asonen",
note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",
year = "1992",
language = "English",
volume = "28",
pages = "2171--2172",
journal = "Electronics Letters",
issn = "0013-5194",
publisher = "Institution of Engineering and Technology",
number = "23",

}

RIS (suitable for import to EndNote) - Lataa

TY - JOUR

T1 - 0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers

AU - Zhang, G.

AU - Näppi, J.

AU - Ovtchinnikov, A.

AU - Savolainen, P.

AU - Asonen, H.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1992

Y1 - 1992

M3 - Article

VL - 28

SP - 2171

EP - 2172

JO - Electronics Letters

JF - Electronics Letters

SN - 0013-5194

IS - 23

ER -