TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

1180 nm GaInNAs quantum well based high power DBR laser diodes

Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2017
TapahtumaSPIE Photonics West 2017 - The Moscone Center, San Francisco, Yhdysvallat
Kesto: 28 tammikuuta 20172 helmikuuta 2017

Conference

ConferenceSPIE Photonics West 2017
MaaYhdysvallat
KaupunkiSan Francisco
Ajanjakso28/01/172/02/17

Tiivistelmä

Abstract: state-of-the-art 560 mW output power in continuous-wave operation at room temperature. The maximum CW power varies between 210mW and 660mW when the ambient temperature is changed between 5 and 80 °C. The emission spectrum variation with the bias current is shown in Fig. 2. Preliminary results from tapered RWG-LDs on the other hand show output power up to 2750mW at 10A current with narrow spectrum locked to the grating (not shown).

Tutkimusalat

Tilastokeskuksen tieteenalat