TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

1180 nm GaInNAs quantum well based high power DBR laser diodes

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoHigh-Power Diode Laser Technology XV
ToimittajatMark S. Zediker
KustantajaSPIE
Sivumäärä6
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 24 helmikuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaSPIE Photonics West -
Kesto: 1 tammikuuta 1900 → …

Julkaisusarja

NimiProceedings of SPIE
KustantajaSPIE
Vuosikerta10086
ISSN (painettu)0277-786X
ISSN (elektroninen)1996-756X

Conference

ConferenceSPIE Photonics West
Ajanjakso1/01/00 → …

Tiivistelmä

We report state-of-the-art results for 1180nm (narrow linewidth) laser diodes based on GaInNAs quantum wells and show results for ridge waveguide DBR laser diode including its reliability tests. Manuscript demonstrates 500 mW output power in continuous-wave operation at room temperature, wide single mode tuning region and narrow linewidth operation. Devices reached narrow linewidth operation (>250 kHz) across their operation band.

!!ASJC Scopus subject areas

Tutkimusalat

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat