TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

33 W continuous output power semiconductor disk laser emitting at 1275 nm

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut7008-7013
Sivumäärä6
JulkaisuOptics Express
Vuosikerta25
Numero6
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 20 maaliskuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

We demonstrate a semiconductor disk laser emitting at 1275nm, employing a wafer fused AlInGaAs/InP-AlAs/GaAs gain mirror. A built-in Au-reflector was used to reflect the pump light not absorbed in a single pass through the gain chip active region. The laser exhibited an output power of 33 W for a pump spot with a diameter of 0.86 mm, an output coupler of 2.5%, and a heat-sink temperature of -5°C. When the temperature of the heat-sink was increased to 15°C, the maximum output power reached a value of ∼24 W. The study reveals that the wafer fused gain mirrors have a high optical quality and good uniformity enabling scaling of the maximum emitted power with the diameter of the pump spot, i.e. at least up to the 1 mm diameter.

!!ASJC Scopus subject areas

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat

Latausten tilastot

Ei tietoja saatavilla