TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

A 170-ps rise-time AlGaAs-GaAs p-i-n photidiode grown by molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoIMEKO 14th symp. on Photonic Measurements, 1-3 Sept. 1992, Sopron, Hungary
TilaJulkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Julkaisufoorumi-taso