A comparative study of growth of ZnSe films on GaAs by conventional molecular-beam epitaxy and migration enhanced epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 593-598 |
| Sivumäärä | 6 |
| Julkaisu | Journal of Vacuum Science & Technology B |
| Vuosikerta | 7 |
| Numero | 4 |
| Tila | Julkaistu - 1989 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |