TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

A Two-Stage LNA Design for 28GHz Band of 5G on 45nm CMOS

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2020 IEEE 63rd International Midwest Symposium on Circuits and Systems, MWSCAS 2020 - Proceedings
KustantajaIEEE
Sivut957-961
Sivumäärä5
ISBN (elektroninen)9781538629161
ISBN (painettu)978-1-7281-8059-5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2020
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaInternational Midwest Symposium on Circuits and Systems - Springfield, Yhdysvallat
Kesto: 9 elokuuta 202012 elokuuta 2020

Julkaisusarja

NimiMidwest Symposium on Circuits and Systems
ISSN (painettu)1548-3746
ISSN (elektroninen)1558-3899

Conference

ConferenceInternational Midwest Symposium on Circuits and Systems
MaaYhdysvallat
KaupunkiSpringfield
Ajanjakso9/08/2012/08/20

Tiivistelmä

The proposed low noise amplifier (LNA) is specified to operate near 28GHz, i.e. within modern 5G bandwidths. The amplifier consists of two stages, a common-gate and a modified common-drain stage. Individual consideration of stages is followed by design of the whole amplifier, the layout design and extraction of parasitics. The post-layout design results show the gain of more than 15dB and noise figure (NF) of 3.2dB using only 5mW of power. Both input and output return losses are better than 10dB at the centre frequency. The limited voltage headroom of the second stage does not allow to obtain 1dB compression point (OP1dB) better than -10dBm. The design results are comparable to that found in recent LNA publications.