Ab initio and scanning tunneling microscopy study of indium-terminated GaAs(100) surface: An indium-induced surface reconstruction change in the c(8x2) structure
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 245305-1-245305-9 |
Julkaisu | Physical Review B |
Vuosikerta | 81 |
Numero | 24, 245305 |
DOI - pysyväislinkit | |
Tila | Julkaistu - 2010 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |