TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Advances in epitaxy of GaAsBi: relation between growth parameters and material properties

Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2017
Tapahtuma8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors - Marburg, Saksa
Kesto: 23 heinäkuuta 201726 heinäkuuta 2017

Conference

Conference8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
MaaSaksa
KaupunkiMarburg
Ajanjakso23/07/1726/07/17