TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

All solid source molecular beam epitaxy growth of 1.35-microm wavelenght strained-layer GaInAsp quantum well laser

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut797-799
JulkaisuElectronics Letters
Vuosikerta31
Numero10
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso