All solid source molecular beam epitaxy growth of 1.35-microm wavelenght strained-layer GaInAsp quantum well laser
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 797-799 |
| Julkaisu | Electronics Letters |
| Vuosikerta | 31 |
| Numero | 10 |
| Tila | Julkaistu - 1995 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |