TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

All solid source molecular beam epitaxy growth of strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (y=980nm)

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2332-2334
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta67
Numero16
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso