TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Annealing of the deep recombination center in GaInP/AlGaInP quantum wells grown by solid-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut3709-3713
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta86
Numero7
TilaJulkaistu - 1999
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso