TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Characteristics and growth of stained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut293-299
JulkaisuMat. Res. Soc. Symp. Proc.
Vuosikerta281
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso