Characteristics of InGaAs/GaAs/GaInP Quantum well lasers grown by gassource Molecular Beam Epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Otsikko | Conference Digest of the 13th Intern. IEEE Semicond. Laser Conference, Takamatsu, Japan, Paper D-11 (1992) |
| Tila | Julkaistu - 1992 |
| OKM-julkaisutyyppi | A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa |