TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Characteristics of InGaAs/GaAs/GaInP Quantum well lasers grown by gassource Molecular Beam Epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoConference Digest of the 13th Intern. IEEE Semicond. Laser Conference, Takamatsu, Japan, Paper D-11 (1992)
TilaJulkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Julkaisufoorumi-taso