TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Comparison of ‘shallow’ and ‘deep’ junction architectures for MBE-grown InAs/GaAs quantum dot solar cells

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC)
AlaotsikkoA Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC
KustantajaIEEE
Sivut2950-2952
Sivumäärä3
ISBN (elektroninen)978-1-5386-8529-7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - marraskuuta 2018
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaWorld Conference on Photovoltaic Energy Conversion -
Kesto: 5 joulukuuta 1994 → …

Julkaisusarja

NimiCONFERENCE RECORD OF THE IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE
KustantajaIEEE
ISSN (painettu)0160-8371

Conference

ConferenceWorld Conference on Photovoltaic Energy Conversion
Ajanjakso5/12/94 → …

Tiivistelmä

We report on the fabrication of InAs/GaAs quantum dot solar cells with high open circuit voltage by molecular beam epitaxy. ‘Shallow’ and ‘deep’ junction architectures were compared. The highest open circuit voltage of 0.94 V was obtained for the ‘shallow’ junction configuration. The open circuit voltage of InAs quantum dot solar cells decreased only by ~40 mV compared to GaAs reference cells for both junction architectures indicating high quality quantum dots. The open circuit voltage of InAs/GaAs quantum dot solar cells was also found to be dependent on the size of quantum dots.

Julkaisufoorumi-taso