TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Concentration of interstitial and substitutional nitrogen in GaNxAs1-x

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2314-2316
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta80
Numero13
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso