TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

DBR-free semiconductor disc laser on SiC heatspreader emitting 10.1 W at 1007 nm

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1537-1539
Sivumäärä3
JulkaisuElectronics Letters
Vuosikerta53
Numero23
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 9 marraskuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

We report a distributed Bragg reflector-free semiconductor disc laser which emits 10 W continuous wave output power at a wavelength of 1007 nm when pumped with 40 W at 808 nm, focused into a 230 μm diameter spot on the gain chip. By introducing a birefringent filter plate in the laser cavity the wavelength could be tuned from 995 to 1020 nm. The laser consisted of a gain chip located at the beam waist of a linear concentric resonator with an output coupling of 2.15%. The gain chip consists of a 1.574-μm-thick resonant periodic gain structure, with ten In0.13Ga0.87As quantum wells embedded in strain-compensating GaAs0.94P0.06 barrier layers, van der Waals bonded to a silicon carbide intra-cavity heat spreader.

!!ASJC Scopus subject areas

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat