TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Donor levels and the microscopic structure of the DX center in n-type Si-doped AlGaInP grown by molecular-beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut7851-7862
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta53
Numero12
TilaJulkaistu - 1996
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso