TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Electrical and optical properties of GaInAsP grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut4565-4570
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta74
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso