TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Electrical switching of photoluminescence of single site-controlled InAs quantum dots

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1240-1242
Sivumäärä3
JulkaisuElectronics Letters
Vuosikerta52
Numero14
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 7 heinäkuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

Voltage-controlled photoluminescence (PL) switching is demonstrated for single site-controlled InAs quantum dots (QDs) embedded in Schottky-i-n diodes grown by molecular beam epitaxy on nanoimprint lithography patterned GaAs templates. The PL emission was quenched by applying a voltage over the diode structure due to the increased tunnelling rate of charge carriers out of the QDs.