Electronic and structural properties of GaAs(100)(2X4) and InAs(100)(2X4) surfaces studied by core-level photoemission and scanning tunneling microscopy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | pp. 045321--1-9 |
Sivumäärä | 9 |
Julkaisu | Physical Review |
Vuosikerta | B72 |
DOI - pysyväislinkit | |
Tila | Julkaistu - 2005 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |