Electronic and structural properties of GaAs(100)(2X4) and InAs(100)(2X4) surfaces studied by core-level photoemission and scanning tunneling microscopy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | pp. 045321--1-9 |
| Sivumäärä | 9 |
| Julkaisu | Physical Review |
| Vuosikerta | B72 |
| DOI - pysyväislinkit | |
| Tila | Julkaistu - 2005 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |