TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Enhancement of EQE for MBE grown InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell with Back Reflector

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
KustantajaIEEE
Sivut2593-2596
Sivumäärä4
ISBN (elektroninen)978-1-7281-0494-2
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2020
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaIEEE Photovoltaic Specialists Conference -
Kesto: 1 tammikuuta 1900 → …

Conference

ConferenceIEEE Photovoltaic Specialists Conference
Ajanjakso1/01/00 → …

Tiivistelmä

We report on molecular beam epitaxy grown InAs/GaAs quantum dot solar cells incorporating thin-film configuration with back surface reflectors. External quantum efficiency measurements reveal two times higher current generation for the quantum dots with the thin-film solar cell with the back reflector compared to a standard reference solar cell without back reflector. A high open-circuit voltage of 0.884 V is demonstrated. Furthermore, the benefits of using more advanced designs for a back reflector employing pyramidal diffraction gratings are discussed.