TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Epitaxial growth of fcc clusters

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut11039-11042
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta51
Numero16
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 tammikuuta 1995
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiEi OKM-tyyppiä

Tiivistelmä

The statistics of epitaxially grown free fcc clusters is studied in a simple growth model, where the clusters have only (111) surfaces, and only one facet grows at a time. The abundance spectrum shows regular oscillations as a function of N1/3 and as a function of N2/3. The former corresponds to octahedral growth pattern, although only an insignificant number of the clusters are perfect octahedra. The latter is a result of the differences in the facet sizes of imperfect octahedra.

!!ASJC Scopus subject areas