GaAs single-domain growth on exact (100) Si substrate
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 2711-2722 |
Julkaisu | Applied Physics Letters |
Vuosikerta | 62 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |