TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

GaAs single-domain growth on exact (100) Si substrate

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2711-2722
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta62
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso