Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y on GaAs for photonic and electronic applications
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 441-448 |
| Julkaisu | Journal de Physique VI |
| Vuosikerta | 3 |
| Tila | Julkaistu - 1993 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |