Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y on GaAs for photonic and electronic applications
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 441-448 |
Julkaisu | Journal de Physique VI |
Vuosikerta | 3 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |