TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y on GaAs for photonic and electronic applications

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut441-448
JulkaisuJournal de Physique VI
Vuosikerta3
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso