Gas-source molecular beam epitaxy of lattice-matched GaxIn1-xAsP1-y on GaAs over the entire composition range
Tutkimustuotos ›
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Otsikko | Workbook of the Eight International Conference on Molecular Beam Epitaxy, August 29 - September 2, 1994, Osaka, Japan (to be published in Journal of Crystal Growth) |
Tila | Julkaistu - 1994 |
OKM-julkaisutyyppi | B3 Artikkeli konferenssijulkaisussa |