Growth of Ga0.29In0.71As0.61P0.39 (lambda =1.3 myym) on InP by gas source molecular beam epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 217-220 |
Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
Vuosikerta | 127 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |