Growth of Ga0.29In0.71As0.61P0.39 (lambda =1.3 myym) on InP by gas source molecular beam epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 217-220 |
| Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
| Vuosikerta | 127 |
| Tila | Julkaistu - 1993 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |