TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Growth of Ga0.29In0.71As0.61P0.39 (lambda =1.3 myym) on InP by gas source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut217-220
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta127
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso