TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

High interface recombination velocity caused by spatially indirect quantum well transition in Al0.55In0.45As/InP heteroface solar cells

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut4801-4803
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta77
Numero9
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso