TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

High performance 980 nm strained-layer GaInAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by all solid source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut986-988
JulkaisuIEEE Photonics Technology Letters
Vuosikerta8
Numero8
TilaJulkaistu - 1996
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso