TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

High power (60 mW) GaSb-based 1.9 μm superluminescent diode with cavity suppression element

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli231102
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta109
Numero23
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 6 joulukuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

The characteristics and the fabrication of a 1.9 μm superluminescent diode utilizing a cavity suppression element are reported. The strong suppression of reflections allows the device to reach high gain without any sign of lasing modes. The high gain enables strong amplified spontaneous emission and output power up to 60 mW in a single transverse mode. At high gain, the spectrum is centered around 1.9 μm and the full width at half maximum is as large as 60 nm. The power and spectral characteristics pave the way for demonstrating compact and efficient light sources for spectroscopy. In particular, the light source meets requirements for coupling to silicon waveguides and fills a need for leveraging to mid-IR applications photonics integration circuit concepts exploiting hybrid integration to silicon technology.

Tutkimusalat

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat

Latausten tilastot

Ei tietoja saatavilla