TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Incorporation of group-V elements in GaxIn1-xAsyP1-y layers grown on GaAs by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
SivutL1049-L1051
JulkaisuJpn.J.Appl.Lett
Vuosikerta33
TilaJulkaistu - 1994
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso