Incorporation of group-V elements in GaxIn1-xAsyP1-y layers grown on GaAs by gas-source molecular beam epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | L1049-L1051 |
| Julkaisu | Jpn.J.Appl.Lett |
| Vuosikerta | 33 |
| Tila | Julkaistu - 1994 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |