Incorporation of group-V elements in GaxIn1-xAsyP1-y layers grown on GaAs by gas-source molecular beam epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | L1049-L1051 |
Julkaisu | Jpn.J.Appl.Lett |
Vuosikerta | 33 |
Tila | Julkaistu - 1994 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |