TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Influence of arsenic pressure on photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut249-254
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta281
Numero2-4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2005
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso