TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Influence of strain on lasing performances os Al-free strained-layer Ga(In)As(P)-GaInAsP-GaInP quantum-well lasers emitting at 0.78 - y - 1.1 um

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut183-188
JulkaisuIEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
Vuosikerta1
Numero2
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso