Influence of strain on lasing performances os Al-free strained-layer Ga(In)As(P)-GaInAsP-GaInP quantum-well lasers emitting at 0.78 - y - 1.1 um
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 183-188 |
Julkaisu | IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics |
Vuosikerta | 1 |
Numero | 2 |
Tila | Julkaistu - 1995 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |