Influence of strain on lasing performances os Al-free strained-layer Ga(In)As(P)-GaInAsP-GaInP quantum-well lasers emitting at 0.78 - y - 1.1 um
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 183-188 |
| Julkaisu | IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics |
| Vuosikerta | 1 |
| Numero | 2 |
| Tila | Julkaistu - 1995 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |