Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 153-159 |
Julkaisu | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. |
Vuosikerta | 281 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |