TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut153-159
JulkaisuMat. Res. Soc. Symp. Proc.
Vuosikerta281
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso