Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 153-159 |
| Julkaisu | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. |
| Vuosikerta | 281 |
| Tila | Julkaistu - 1993 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |