TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Low threshold current strained-layer InGaAs/GaAs/GaInP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivuts. 96
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta61
TilaJulkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso