TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Model of growth of single-domain GaAs layers on double-domain Si substrates by molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1987-1989
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta55
Numero19
TilaJulkaistu - 1989
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso