TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Models for thermal dissociation of silane on a polysilicon surface

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut215-220
Sivumäärä6
JulkaisuApplied Physics A Solids and Surfaces
Vuosikerta50
Numero2
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - helmikuuta 1990
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

Simple models for the thermally activated dissociation reaction of silane and silicon growth on a polycrystalline silicon surface are presented. The models are fitted to recent experimental molecular beam scattering data for the low-pressure reactive sticking coefficient. Thermally activated few-step models fit the data reasonably well, and thus, we are able to explain the temperature and pressure dependencies of the observed deposition rate.