TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Monolithic GaInNAsSb/GaAs VECSEL emitting at 1550 nm

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoSPIE conference proceedings
KustantajaSPIE
Vuosikerta9349
ISBN (painettu)9781628414394
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaVertical External Cavity Surface Emitting Lasers - , Iso-Britannia
Kesto: 1 tammikuuta 2015 → …

Conference

ConferenceVertical External Cavity Surface Emitting Lasers
MaaIso-Britannia
Ajanjakso1/01/15 → …

Tiivistelmä

We report the first monolithic GaAs-based vertical external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) operating at 1550 nm. The VECSEL is based on a gain mirror which was grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy and comprises 8 GaInNAsSb/GaAs quantum wells and an AlAs/GaAs distributed Bragg reflector. When pumped by an 808 nm diode laser, the laser exhibited an output power of 80 mW for a mount temperature of 16 °C.