TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Narrow Bandgap Dilute Nitride Materials for 6-junction Space Solar Cells

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2019 European Space Power Conference (ESPC)
KustantajaIEEE
Sivumäärä3
ISBN (elektroninen)978-1-7281-2126-0
ISBN (painettu)978-1-7281-2127-7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaEuropean Space Power Conference -
Kesto: 1 tammikuuta 2000 → …

Conference

ConferenceEuropean Space Power Conference
Ajanjakso1/01/00 → …

Tiivistelmä

Narrow bandgap p-i-n dilute nitride GaInNAsSb junctions, for use as bottom cell in 6-junction solar cells, are reported. In particular, we demonstrate a high optical quality for GaInNAsSb junction with a bandgap ~0.78 eV, corresponding to a N content of 6.2%. Under AM0 illumination, such cell exhibits a photocurrent of 36.6 mA/cm2. By extracting the parameters of the experimental cell, we estimate the the AM0 efficiency of a 6-junction multijunction solar cell employing the GaInNAsSb junction, to attain a value of 33%. Further improvements are discussed towards achieving the full potential of the 6-junction design.

Tutkimusalat

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat