TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Narrow Bandgap Dilute Nitride Materials for 6-junction Space Solar Cells

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2019 IEEE European Space Power Conference
KustantajaIEEE
TilaHyväksytty/In press - 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaEuropean Space Power Conference 2019 - Palais des Congres d'Antibes, Juan-Les-Pins, Ranska
Kesto: 30 syyskuuta 20194 lokakuuta 2019
https://atpi.eventsair.com/QuickEventWebsitePortal/19a03---european-space-power-conference/home

Conference

ConferenceEuropean Space Power Conference 2019
LyhennettäESPC2019
MaaRanska
KaupunkiJuan-Les-Pins
Ajanjakso30/09/194/10/19
www-osoite

Tiivistelmä

Narrow bandgap p-i-n dilute nitride GaInNAsSb junctions, for use as bottom cell in 6-junction solar cells, are reported. In particular, we demonstrate a high optical quality for GaInNAsSb junction with a bandgap ~0.78 eV, corresponding to a N content of 6.2%. Under AM0 illumination, such cell exhibits a photocurrent of 36.6 mA/cm2. By extracting the parameters of the experimental cell, we estimate the the AM0 efficiency of a 6-junction multijunction solar cell employing the GaInNAsSb junction, to attain a value of 33%. Further improvements are discussed towards achieving the full potential of the 6-junction design.

Tutkimusalat

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat