TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Near-surface defect profiling with slow positrons: Argon-sputtered Al(110)

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut7561-7563
Sivumäärä3
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta32
Numero11
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 tammikuuta 1985
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiEi OKM-tyyppiä

Tiivistelmä

We report on slow-positron measurements of atomic defect distribution near a solid surface. Defects are produced by argon-ion bombardment of an Al(110) surface in ultrahigh vacuum. Defect profiles have a typical width of 1525 A and contain a broader tail extending to 50100 A. The defect density at the outermost atomic layers saturates at high argon fluences to a few atomic percent, depending on sputtering conditions. Defect production rate at >1 keV Ar+ energies is typically 15 vacancy-interstitial pairs per incident ion. Molecular-dynamics simulations of the collision cascade predict similar defect distributions.