TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

New approach to growth of high-quality GaAs layers on Si

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1801-1803
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta51
Numero22
TilaJulkaistu - 1987
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso