Noise characterization of Ge/Si photodetectors
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Otsikko | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 |
Sivut | 290-292 |
Sivumäärä | 3 |
DOI - pysyväislinkit | |
Tila | Julkaistu - 2011 |
OKM-julkaisutyyppi | A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa |
Tapahtuma | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 - London, Iso-Britannia Kesto: 14 syyskuuta 2011 → 16 syyskuuta 2011 |
Conference
Conference | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 |
---|---|
Maa | Iso-Britannia |
Kaupunki | London |
Ajanjakso | 14/09/11 → 16/09/11 |
Tiivistelmä
We invesyigate the noise in Ge/Si photodiodes. The noise performance is characterized by current voltage characteristics and spectral analysis and the results compared with reference Ge/Ge photodetectors. Both thermal and shot noise are of the same order, while Ge/Si devices exhibit a significantly larger 1/f noise.