Noise characterization of Ge/Si photodetectors
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Otsikko | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 |
| Sivut | 290-292 |
| Sivumäärä | 3 |
| DOI - pysyväislinkit | |
| Tila | Julkaistu - 2011 |
| OKM-julkaisutyyppi | A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa |
| Tapahtuma | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 - London, Iso-Britannia Kesto: 14 syyskuuta 2011 → 16 syyskuuta 2011 |
Conference
| Conference | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 |
|---|---|
| Maa | Iso-Britannia |
| Kaupunki | London |
| Ajanjakso | 14/09/11 → 16/09/11 |
Tiivistelmä
We invesyigate the noise in Ge/Si photodiodes. The noise performance is characterized by current voltage characteristics and spectral analysis and the results compared with reference Ge/Ge photodetectors. Both thermal and shot noise are of the same order, while Ge/Si devices exhibit a significantly larger 1/f noise.