TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Noise characterization of Ge/Si photodetectors

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011
Sivut290-292
Sivumäärä3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
Tapahtuma8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 - London, Iso-Britannia
Kesto: 14 syyskuuta 201116 syyskuuta 2011

Conference

Conference8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011
MaaIso-Britannia
KaupunkiLondon
Ajanjakso14/09/1116/09/11

Tiivistelmä

We invesyigate the noise in Ge/Si photodiodes. The noise performance is characterized by current voltage characteristics and spectral analysis and the results compared with reference Ge/Ge photodetectors. Both thermal and shot noise are of the same order, while Ge/Si devices exhibit a significantly larger 1/f noise.