Optimization and characteristics of Al-free strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH-QW lasers (lambda ~ 980 nm) grown by gas-source MBE
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 1943-1949 |
| Julkaisu | IEEE journal of quantum electronics |
| Vuosikerta | 29 |
| Tila | Julkaistu - 1993 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |