TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Optimization and characteristics of Al-free strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH-QW lasers (lambda ~ 980 nm) grown by gas-source MBE

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1943-1949
JulkaisuIEEE journal of quantum electronics
Vuosikerta29
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso